面，以溶

    解光刻胶。

    (2）显影：通过化学反应将硅片表面的光刻胶进行

    溶解，从而形成微小的结构。

    (3）清洗：将硅片表面的显影剂和光刻胶残留物清洗干净，以准备下一次曝光。

    光源技术+：光源是曝光过程中最关键的部分，它的稳定性和光强度对于曝光的精度和速度都有着重要的影响。现代光刻机使用的光源主要有氙气灯+、荧光灯、激光等。

    透镜技术+：透镜是将掩模上的图形投影到硅片上的关键部件，它的制造精度和材料质量对于曝光的精度和分辨率都有着重要的影响。

    控制系统技术：控制系统是光刻机的核心部分，它负责整个曝光过程的控制和管理。现代控制系统采用计算机和控制软件，能够实现自动对位、自动瞩光、自动对焦等功能。

    曝光技术：曝光技术是光刻机制造中最关键的技术之一，它的精度和速度直接影响到芯片的制造质量和效率。现代曝光技术主要包括多重图形投射式曝光技术+、极紫外光曝光技术等。

    王骁自己的了解了一下这次突破的方面，这次的突破只要就是之前一直难以攻克的极紫外线蚀刻问题这次被攻克了！

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